一、晶圆制备工序（硅片制造）

1. 硅料提纯环节

• 核心材料：石英砂（SiO₂）、高纯氯气、高纯氩气、碳还原剂

• 配套设备：多晶硅提纯炉、精馏塔、氢还原反应器、气体纯化系统

2. 单晶硅锭生长环节

• 核心材料：电子级多晶硅、单晶硅籽晶、高纯氩气（保护气）

• 配套设备：直拉法单晶炉（CZ炉）、晶锭定向仪、温控系统

3. 晶圆加工环节

• 核心材料：金刚石线锯、切割液、研磨液、抛光液、抛光垫、高纯去离子水

• 配套设备：多线切割机、硅锭滚磨机、倒角机、研磨机、化学机械抛光机（CMP）、湿法清洗机

4. 晶圆检测环节

• 核心材料：检测试剂、无尘耗材

• 配套设备：晶圆平整度检测仪、表面缺陷检测仪、膜厚测试仪

二、前道制造工序（FEOL：晶体管制造）

1. 热氧化环节

• 核心材料：高纯氧气、高纯水蒸气

• 配套设备：立式氧化炉、温控系统、气体输送系统

2. 薄膜沉积环节

• 核心材料：硅烷（SiH₄）、氨气（NH₃）、TEOS（正硅酸乙酯）、金属靶材（铜、钨、钛、钽）、前驱气体

• 配套设备：LPCVD设备、PECVD设备、PVD溅射设备、ALD原子层沉积设备

3. 光刻环节

• 核心材料：光刻胶（光阻）、掩膜版（光罩）、显影液、剥离液、光刻胶去除剂

• 配套设备：光刻机（DUV/EUV）、涂胶显影机、掩膜版检查仪、光刻胶烘烤设备

4. 刻蚀环节

干法刻蚀

• 核心材料：氟基刻蚀气体（CF₄、SF₆）、氯基刻蚀气体（Cl₂）、钝化气体（C₄F₈）、电子氟化液（刻蚀机控温液）

• 配套设备：等离子体干法刻蚀机（配套冷却系统）、真空腔体、气体配比系统

湿法刻蚀

• 核心材料：氢氟酸、硫酸、过氧化氢、缓冲刻蚀液、电子氟化液（精密清洗剂）

• 配套设备：湿法刻蚀槽、药液循环系统、清洗干燥设备（使用氟化液进行清洗）

5. 离子注入 / 退火环节

• 核心材料：硼、磷、砷、锗掺杂离子源、高纯氮气（保护气）、电子氟化液（离子注入机控温液）

• 配套设备：离子注入机（配套冷却系统）、快速热退火炉（RTP）、激光退火设备

6. CMP 平坦化环节

• 核心材料：CMP研磨液（硅溶胶、氧化铝浆料）、抛光垫、抛光液添加剂

• 配套设备：CMP化学机械抛光机、抛光垫修整器、清洗单元

三、后道制造工序（BEOL：金属互连）

1. 介质层沉积环节

• 核心材料：低k介质材料、SiO₂介质前驱体、高纯气体

• 配套设备：PECVD设备、ALD设备、介质层刻蚀机

2. 铜互连制造环节

• 核心材料：铜电镀液、阻挡层靶材（Ta、TaN）、铜种子层靶材、高纯去离子水

• 配套设备：双大马士革刻蚀机、铜电镀设备、阻挡层沉积设备、CMP抛光机

3. 通孔填充环节

• 核心材料：钨靶材、钨前驱体气体、高纯氢气

• 配套设备：PVD钨沉积设备、CVD钨填充设备、钨刻蚀机

四、测试封装工序

1. 晶圆测试环节

• 核心材料：探针卡、探针针、测试探针清洁液、电子氟化液（测试机冷却液）

• 配套设备：探针台、自动测试机（ATE）（使用氟化液进行温控）、晶圆测试分选机

2. 晶圆减薄切割环节

• 核心材料：金刚石切割刀片、减薄研磨液、无尘胶带

• 配套设备：晶圆减薄机、晶圆切割机（划片机）、晶圆扩张机

3. 芯片封装环节

• 核心材料：封装基板、金线/铜线/铝线、环氧塑封料、导电胶、底部填充胶、焊锡球、电子氟化液（封装测漏液、热冲击测试液）

• 配套设备：粘片机（Die Bonder）、焊线机（Wire Bonder）、塑封机、植球机、回流焊炉、封装测试设备（用于测漏和热冲击，使用氟化液）

4. 终测老化环节

• 核心材料：测试插座、高温老化板、电子氟化液（可靠性测试温控液）

• 配套设备：终测机、高温老化箱、可靠性测试设备（使用氟化液进行精确控温）